[VIP第1年] 指数:3
从持续时间的角度上分类，强磁场可以分为脉冲强磁场和稳态强磁场。脉冲强磁场可以产生很高的磁场，能为一些科学实验提供所需要的磁场环境。但磁场持续的时间短，且磁场的强度在短时刻内是脉冲尖峰状态。稳态强磁场是持续时间相对较长的磁场，并且磁场的强度时保持相对稳定的状态，但目前的技术条件场强无法做到很高，稳态磁场强度的建设投资大、需求的电源容量大、冷却系统大并且维护成本高。为了一些同时对磁场强度和稳定度都有很高要求的科学实验，我们就需要提供**度、高稳定度的磁场环境，于是结合到上述两种磁场产生的特点，科学家们提出了脉冲平顶磁场。这种磁场在满足磁场强度高的条件下兼顾磁场的稳定性。另外，脉冲平顶磁场可以降低测量的干扰，减小样品产生的涡流。总之，脉冲平顶磁场间距脉冲磁场和稳恒磁场的优点，为一些特殊要求的实验提供了研究的环境。传感器的输出电压可以表示为这种电路的缺点是。上海内阻测试仪电压传感器厂家供应
随着现代实验研究不断的深入和科学的不断发展，科学家对强磁场环境的要求也越来越高，从而对脉冲强磁场的建设也提出了更高的要求。在欧美以及日本等发达国家已经较早建立了强磁场实验室，主要有美国国家强磁场国家实验室、法国国家强磁场实验室、德国德累斯顿强磁场实验室、荷兰莱米根强磁场实验室以及日本东京大学强磁场实验室。我国强磁场领域起步较晚，近年来，华中科技大学脉冲强磁场中心开展了大量 关于脉冲强磁场的研究工作。上海内阻测试仪电压传感器厂家供应因此，整个电压将通过检测电压的传感电路发展。
本项目逆变桥臂上有4个开关管，对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种，以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动，因为相对于分立元件构成的驱动电路，集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块，并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962，如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路，可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器实现电气隔离，输入输出隔离电压高达 2500V。
PWM波可以由DSP芯片内部的事件管理器EVA或EVB产生，在DSP内部，事件管理器EVA和EVB是完全相同的两个模块。它们都有3个比较单元，每一个比较单元都可以产生一对互补的PWM波，一共可以提供6路PWM波。在此选用其中的4路来驱动逆变桥上的开关管。4路PWM波中选用一路作为基准，将比较寄存器设置为增减模式，在下溢中断和周期中断的时候分别重置比较寄存器的值，并且所重置的这两个数值之和为比较寄存器的周期值。设置好PWM波输出的其他必须配置就可以产生一对互补的PWM波作为超前桥臂上的驱动。下面主要问题是如何产生另一对具有相位差的互补的PWM波。基于对DSP的研究，在此采用全比较单元的直接移相脉冲生产方法。方向相反，从而在磁芯中保持磁通为零。
在产生移相脉波时，计时器的计时都有一个固定的时基，计时器以时基为参考点开始计数，当比较寄存器中的值和设定值相等就会产生一个比较中断。由此机理，移相角的改变有两种方法：1）不断改变时基；2）不断更新比较值。DSP比较寄存器处于增减计数模式，一般时基是固定的。由于增减计数模式中每一个周期都会产生一个周期中断和下溢中断，于是我们可以利用这两个中断将设定值重置来实现另外一对PWM波的移相。超前桥臂上一对互补PWM波由比较单元1产生，对应的比较寄存器为T1CMPR，即为比较寄存器1的设定值，计数寄存器为T1CNT。滞后桥臂上一对互补的PWM波由比较单元2产生，对应的比较寄存器为T2CMPR，即为比较寄存器2的设定值，为了保证参考坐标的一致性，比较单元2和比较单元1共用同一个计数寄存器。通常，在串联电路中，高阻抗的元件上会产生高电压。上海内阻测试仪电压传感器厂家供应
这就是电容器的工作原理。上海内阻测试仪电压传感器厂家供应
在实际的系统中，考虑到变压器有原边漏感的存在，实际选用的谐振电感值比计算的谐振电感值要小，工程调试中可以以计算得到的谐振电感值为基准，将谐振电感设计为可调电感，根据电路的实际情况调动谐振电感值来配合谐振电容完成零开通。本电路的仿真分为两个阶段，第一阶段仿真不纳入全桥变换器变压器的副边，末端的负载用一个等效至原边的电阻代替。此阶段仿真主要是为了实现超前桥臂和滞后桥臂的所有开关管的软开关，并且通过仿真的手段观察开关管实现软开关与电路中哪些参数关系**紧密，以及探讨实现软开关的临界条件。通过观测各个开关管承受电压、流通电流和驱动信号之间的关系，加强对移相全桥电路的理解，为后续的参数设置和电路调试提供理论基础。上海内阻测试仪电压传感器厂家供应
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